人造金刚石粗料主要有高温高压法（HTHP）和化学气相沉积法（CVD）两种生产工艺，其工艺流程简述如下：
高温高压法（HTHP）
原料准备：选取高纯度的石墨作为碳源，通常要求石墨的纯度在 99% 以上。同时，选择合适的金属触媒，如铁、镍、钴等及其合金，制成一定形状和尺寸的触媒片或触媒粉。
组装合成块：将石墨和触媒按照一定的顺序和方式组装在合成腔内，一般是将石墨包裹在触媒中间，形成特定的结构，以利于在高温高压下进行反应。
高温高压合成：将组装好的合成块放入高温高压设备中，通过液压系统施加 5-6GPa 的高压，同时利用加热装置将温度升高到 1400-1600℃，在此条件下保持一段时间，使石墨在金属触媒的作用下转化为金刚石。
冷却与卸压：合成反应完成后，逐渐降低温度和压力，使合成腔内的物质冷却至室温，压力降至常压。
产物分离与提纯：将合成后的产物从合成腔中取出，采用化学处理、机械破碎等方法，去除未反应的石墨、金属触媒等杂质，得到人造金刚石粗料。
化学气相沉积法（CVD）
基底准备：选择合适的基底材料，如硅、钼、钨等，对基底进行清洗、抛光等预处理，以提高金刚石在基底上的沉积质量和附着力。
气体混合与导入：将甲烷、氢气等气体按一定比例混合，通过气体输送系统导入到反应 chamber 中。其中，甲烷作为碳源，氢气用于调节反应气氛和促进金刚石的生长。
等离子体激发：在反应 chamber 内，利用微波、射频、直流电弧等方式产生等离子体，使混合气体发生解离和激发，形成含有碳原子、氢原子等活性粒子的等离子体环境。
金刚石沉积生长：在等离子体的作用下，碳原子在基底表面吸附、扩散并沉积，逐渐生长成金刚石晶体。通过精确控制反应温度、气体流量、等离子体功率等参数，可控制金刚石的生长速率和质量。
产物收集与处理：沉积完成后，将基底从反应 chamber 中取出，对沉积在基底上的金刚石进行收集和初步处理，如清洗、切割等，得到人造金刚石粗料。
