温度：
反应温度：较高的反应温度可使原料气体分子能量增加，促进反应物分子活化，加快反应速率，进而提高晶种生长速度。但温度过高或过低可能使反应趋于热力学平衡，不利于生长速度提升。
衬底温度：合适的衬底温度梯度可调控生长速率和薄膜结构，对热传导和反应物质吸附也有重要影响。
原料气体：
浓度：增加原料气体浓度通常能提高沉积速率，从而加快晶种生长。但浓度过高可能导致不稳定性和副产物生成，反而影响生长速度和质量。
比例：不同的原料气体比例会影响反应动力学，适当的比例可促进快速而均匀的沉积，有利于晶种生长。
气相传质：
气相扩散：气相传质受反应室内气流状况和衬底表面形态影响，有效的气相传质可保证反应物质均匀输送到反应表面，提高生长速度和均匀性。若气相传质不畅，会导致反应物质供应不足，限制晶种生长。
衬底表面形态：衬底表面的平整度、粗糙度等形态特征会影响气相传质。表面平整、光滑有利于反应物质均匀吸附和沉积，而粗糙表面可能导致气流紊乱，影响生长速度和均匀性。
反应物质选择2：不同的反应物质具有不同的反应性和挥发性。反应性高的物质能加快反应速率，有利于晶种生长；挥发性好的反应物质则有利于均匀沉积、快速成膜，进而提高生长速度。
压力：在 CVD 过程中，压力对等离子体密度有影响。适当提高压力可增加等离子体密度，有助于提高原子 H 和甲基 CH₃等活性基团的浓度，从而加快晶种生长速度。
功率：对于微波等离子体 CVD 等技术，提高功率可增强等离子体的能量，使原料气体更充分地解离和激发，产生更多的活性粒子，促进晶种生长。
掺杂：在一定比例下进行氮气掺杂，可显著提升金刚石晶种的生长速率，但随着氮气加入比例提高，生长速率逐渐趋于饱和。此外，其他一些杂质或元素的掺杂也可能对晶种生长速度产生影响。
磁场：外部磁场可能影响物质的性质和行为，进而影响晶种的生长速度和形态。不过，磁场对 CVD 晶种生长速度的影响较为复杂，具体效果因材料体系和实验条件而异。
