2. 设备组成：主要由微波发生器、微波传输系统、反应腔室、气体供给系统、真空系统、温度控制系统和等离子体诊断系统等构成。微波发生器产生高功率微波；微波传输系统将微波高效传输至反应腔室；反应腔室为等离子体产生和金刚石生长提供空间；气体供给和真空系统与 HFCVD 类似；温度控制系统精确控制衬底温度；等离子体诊断系统用于监测等离子体的参数，如电子密度、温度等，以便优化生长条件。
3. 优缺点：优点是能精确控制等离子体参数，生长环境纯净，可制备出高质量、大面积的单晶金刚石片体，生长速率相对较高，可达每小时数十微米。缺点是设备复杂、成本高昂，对操作人员技术要求高，且微波设备的维护和运行成本也较高。
直流电弧等离子体喷射化学气相沉积（DC Arc Plasma Jet CVD）
1. 原理：通过直流电弧放电，在电极间形成高温等离子体射流。电弧电压一般在几十伏到上百伏，电流可达几百安培。反应气体通过等离子体射流区域时被迅速加热分解，产生的含碳活性物种在衬底表面沉积生长为单晶金刚石片体。
2. 设备组成：主要包括直流电源、电弧发生器、反应腔室、气体供给系统、真空系统、冷却系统和衬底移动装置等。直流电源提供稳定的电弧放电能量；电弧发生器产生高温等离子体射流；反应腔室容纳等离子体射流和生长过程；气体供给和真空系统维持反应环境；冷却系统用于冷却电极和反应腔室；衬底移动装置可实现衬底在不同位置的生长，有利于均匀生长大面积单晶金刚石。
3. 优缺点：优点是沉积速率极高，可达每小时数百微米，适合快速制备较厚的单晶金刚石片体。缺点是设备稳定性较差，等离子体射流的不均匀性易导致金刚石生长质量不稳定，且设备运行过程中会产生较大噪音和电磁干扰，对工作环境有一定要求。
