化学气相沉积设备：常见的有微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）设备和热丝化学气相沉积（HFCVD）设备等。以 MPCVD 设备为例，它主要由微波发生器、微波传输系统、反应腔、气体供应系统等组成。微波发生器产生高功率微波，通过微波传输系统将微波引入反应腔，在反应腔内形成等离子体，使通入的碳源气体（如甲烷、氢气等）分解并在衬底上沉积形成金刚石。
真空系统：用于将反应腔抽至高真空状态，以排除空气等杂质，为金刚石的生长提供纯净的环境。通常由机械泵、分子泵等组成，能够将反应腔内的压力降低至 10⁻³ - 10⁻⁵Pa 甚至更低。
衬底加热系统：在 CVD 过程中，需要对衬底进行加热，以促进碳源气体在衬底表面的吸附、分解和沉积。衬底加热方式有多种，如电阻加热、射频感应加热等，加热温度一般在几百摄氏度到一千多摄氏度之间。
气体供应与流量控制系统：精确控制碳源气体、氢气以及其他辅助气体的流量和比例，以满足金刚石生长的需要。气体供应系统通常包括气体钢瓶、减压阀、质量流量计等，通过流量控制系统可以按照设定的参数精确调节各种气体的流量。
