1. 大尺寸高质量晶体获取：高温高压法（HPHT）能在高温（约 1500℃）、高压（5 - 6GPa）极端条件下，促使碳原子快速重排结晶，可生长出尺寸较大且质量高的金刚石单晶片。产出的晶体缺陷少、结晶完整性好，在高端应用领域，如精密光学元件、高功率电子器件散热片等方面具有明显优势，能满足对材料性能和尺寸的严格要求。
2. 相对成熟的工艺体系：经过长期发展，HPHT 法制备金刚石单晶片的工艺已较为成熟，技术稳定性较高。从原料选择、设备操作到工艺参数调控，都有较为完善的标准和流程，这使得生产过程相对容易控制，产品质量一致性较好，有利于工业化大规模生产。
3. 高生长速率：相比部分化学气相沉积（CVD）法，HPHT 法生长速率更快。在合适的压力和温度条件下，能够在较短时间内获得一定厚度的金刚石单晶片，有效提高生产效率，降低时间成本，更适合对生产效率有较高要求的大规模生产场景。
缺点
1. 设备昂贵与高运行成本：实现高温高压环境需要专门的大型设备，如六面顶压机等，设备购置成本极高。同时，设备运行过程中需要消耗大量能源来维持高温高压状态，日常维护也需要专业技术人员和高昂费用，这使得整体生产成本大幅增加，限制了该方法在一些对成本敏感领域的应用。
2. 工艺条件严苛：HPHT 法对工艺条件要求极为苛刻，温度、压力、反应时间等参数的微小偏差都可能导致晶体生长失败或质量下降。例如，压力波动可能使晶体内部产生应力缺陷，温度控制不当可能造成晶体生长不均匀，这对操作人员的技术水平和经验要求极高，增加了生产难度和不确定性。
3. 原料限制与环境污染：通常以石墨为原料，在催化剂作用下合成金刚石。但对石墨原料纯度要求高，优质石墨资源有限。此外，部分催化剂在反应后难以回收利用，可能对环境造成污染。而且生产过程中产生的高温高压尾气若处理不当，也会对环境产生不良影响，在环保要求日益严格的当下，面临一定挑战。
衬底选择局限性：由于 HPHT 法的高温高压环境，可供选择的衬底材料有限。普通材料难以承受如此极端条件，而能适应的特殊衬底材料往往价格昂贵，这不仅增加了成本，还限制了对不同衬底特性的利用，不利于根据特定需求定制金刚石单晶片的性能。
