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CVD法单晶金刚石通常采用甲烷和氢气作为前驱体，在高温（约1000℃）、常压（1大气压）或低压条件下，以单晶金刚石衬底作为基底，以气相外延的方式生长单晶金刚石，所用的单晶金刚石衬底可以是天然金刚石、HPHT金刚石或CVD金刚石。该法能够制备纯度较高、尺寸较大的金刚石单晶，具有很高的使用价值，同时随着技术的进步，可以工业化生产的尺寸也逐渐扩大，应用价值持续提升，应用领域也进一步拓展，未来有望广泛应用于超精密刀具、光学、半导体、电子器件、激光器、导弹、航天等领域。
氮含量 | <50ppm |
硬度（显微硬度) | 80～150GPa |
杨氏模量 | 1150～1300GPa |
摩擦系数 | 0.05~0.05 |
热膨胀系数 | 10-.K-l |
热导率 | 1500-2000 w/ (m·K) |
可提供多种尺寸规格的高品质CVD单晶金刚石片体，外观形状可定做。
